热身环节－65纳米 VS 90纳米 65纳米 VS 90纳米 整机功耗对比 | 功耗：瓦 | 65nm CD 356 | 90nm CD 331 | BIOS待机 | 167 | 155 | 系统待机 | 143～152 | 119～131 | CPU 满载 | 179～188 | 164～176 | 3D 游戏满载 | 200～215 | 188～203 |
65纳米 VS 90纳米 处理器核心温度对比 | 工作状态（室温20°） | 65nm CD 356（133 x 20） | 90nm CD 331（133 x 20） | BIOS 待机 | 31° | 30° | 系统待机 | 21° | 26° | CPU满载 | 37° | 34° |
结果一目了然，无论是在整体功耗又或者是核心温度上，65nm的赛扬 D 在90nm的前辈面前，并不具备任何的优势。不过，测试期间我们发现了一个为较奇怪的现象，待机情况下的65nm赛扬 D，其发热量比90nm的要低出不少，但一对照电源上的功耗值，65nm的赛扬 D的整体功耗竟然比90nm版本高出21w。 CPU超频后的功耗对比测试 65nm赛扬 D 超频 整机功耗对比 | CPU频率 | 待机 | CPU满载 | 133 x 20 | 140～152 | 167～179 | 133 x 25 | 143～152 | 176～188 | 166 x 20 | 143～155 | 176～188 |
只要在核心电压不变的情况下，处理器时钟频率的提升，与功耗的增加是不成正比的。 |
